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概述

  ET3158E高级负载管理开关专为需要高集成解决方案的应用而设计，它可以中断DC电源轨(<6V)供电的负载与严苛的关断电流目标和高负载电容(可达200μF)的连接。该元件是由压摆率控制的低阻抗MOSFET开关(典型值21mΩ)和其他集成模拟功能组成，其中压摆率控制的打开特性可防止电源轨上产生浪涌电流及过大的电压降。

  ET3158E具有真正的反向电流阻断功能(TRCB)，可以阻断OUT端到IN端的多余电流。元件具有极低的关断电流消耗(最大为<2μA)，输入电压范围为2.5V至6.0V，可满足消费类、光学、医疗、存储、便携式和工业器件电源管理等广泛应用的需求。

  ET3158E为1.2mm×1.6mm的TDFN封装。

功能特点

●  工作电压范围：2.5V~6V

●  压摆率/浪涌控制，tR：2.7ms(typ)

●  典型的导通电阻RDS(ON)：29mΩ@VIN=4.3V

●  真正的反向电流阻断功能(TRCB)

●  ESD保护：8KV以上@IEC，4KV以上@HBM，1.5KV以上@CDM

管脚排列图